Фильтр по параметрам
Фильтр по параметрам
Новости
25 сентября 2020
Еще продуктивнее и быстрее
10 сентября 2020
Процессоры Intel 10-го поколения для настольных ПК
09 сентября 2020
Новинка: беспроводной wi-fi роутер Ezviz
25 августа 2020
10 причин перейти на Windows 10
SSD
420.23 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD A-Data XPG SX6000 Pro 1TB [ASX6000PNP-1TT-C]
Дата выхода на рынок
2018
Форм-фактор
M.2
Интерфейс
PCI Express 3.0 x4
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Контроллер
Realtek RTS5763DL
Аппаратное шифрование
нет
Скорость последовательного чтения
2100
Скорость последовательной записи
1400
Средняя скорость случайного чтения
250000
Средняя скорость случайной записи
240000
Объём
1 ТБ
Характеристики
| Дата выхода на рынок | 2018 |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Realtek RTS5763DL |
| Аппаратное шифрование | нет |
| Скорость последовательного чтения | 2100 |
| Скорость последовательной записи | 1400 |
| Средняя скорость случайного чтения | 250000 |
| Средняя скорость случайной записи | 240000 |
| Объём | 1 ТБ |
413.84 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Crucial 1TB [CT1000MX500SSD1]
Дата выхода на рынок
2017
Форм-фактор
2.5''
Интерфейс
SATA 3.0
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Контроллер
Silicon Motion SM2258
Аппаратное шифрование
да
Скорость последовательного чтения
560
Скорость последовательной записи
510
Средняя скорость случайного чтения
95000
Средняя скорость случайной записи
90000
Время наработки на отказ (МТBF)
1800000
Толщина
7
Энергопотребление (чтение/запись)
5
Энергопотребление (ожидание)
0.065
Объём
1 ТБ
Характеристики
| Дата выхода на рынок | 2017 |
| Форм-фактор | 2.5'' |
| Интерфейс | SATA 3.0 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Silicon Motion SM2258 |
| Аппаратное шифрование | да |
| Скорость последовательного чтения | 560 |
| Скорость последовательной записи | 510 |
| Средняя скорость случайного чтения | 95000 |
| Средняя скорость случайной записи | 90000 |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1800000 |
| Толщина | 7 |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 5 |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.065 |
| Объём | 1 ТБ |
![SSD Crucial 1TB [CT1000MX500SSD4]](/images/virtuemart/product/resized/ssd-crucial-1tb-ct1000mx500ssd4_1_90x90.jpg)
406.32 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Crucial 1TB [CT1000MX500SSD4]
Дата выхода на рынок
2017
Форм-фактор
M.2
Интерфейс
SATA 3.0
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Контроллер
Silicon Motion SM2258
Аппаратное шифрование
да
Скорость последовательного чтения
560
Скорость последовательной записи
510
Средняя скорость случайного чтения
95000
Средняя скорость случайной записи
90000
Время наработки на отказ (МТBF)
1800000
Энергопотребление (чтение/запись)
5
Энергопотребление (ожидание)
0.055
Объём
1 ТБ
Характеристики
| Дата выхода на рынок | 2017 |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | SATA 3.0 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Silicon Motion SM2258 |
| Аппаратное шифрование | да |
| Скорость последовательного чтения | 560 |
| Скорость последовательной записи | 510 |
| Средняя скорость случайного чтения | 95000 |
| Средняя скорость случайной записи | 90000 |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1800000 |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 5 |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.055 |
| Объём | 1 ТБ |
![SSD Crucial 2TB [CT2000MX500SSD1]](/images/virtuemart/product/resized/ssd-crucial-2tb-ct2000mx500ssd1_90x90.png)
754.43 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Crucial 2TB [CT2000MX500SSD1]
Дата выхода на рынок
2017
Форм-фактор
2.5''
Интерфейс
SATA 3.0
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Контроллер
Silicon Motion SM2258
Аппаратное шифрование
да
Скорость последовательного чтения
560
Скорость последовательной записи
510
Средняя скорость случайного чтения
95000
Средняя скорость случайной записи
90000
Толщина
7
Объём
2 ТБ
Характеристики
| Дата выхода на рынок | 2017 |
| Форм-фактор | 2.5'' |
| Интерфейс | SATA 3.0 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Silicon Motion SM2258 |
| Аппаратное шифрование | да |
| Скорость последовательного чтения | 560 |
| Скорость последовательной записи | 510 |
| Средняя скорость случайного чтения | 95000 |
| Средняя скорость случайной записи | 90000 |
| Толщина | 7 |
| Объём | 2 ТБ |
391.27 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Crucial P1 1TB [CT1000P1SSD8]
Дата выхода на рынок
2018
Форм-фактор
M.2
Интерфейс
PCI Express 3.0 x4
Тип микросхем Flash
3D QLC NAND
Контроллер
Silicon Motion SM2263
Скорость последовательного чтения
2000
Скорость последовательной записи
1700
Средняя скорость случайного чтения
170000
Средняя скорость случайной записи
240000
Объём
1 ТБ
Характеристики
| Дата выхода на рынок | 2018 |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D QLC NAND |
| Контроллер | Silicon Motion SM2263 |
| Скорость последовательного чтения | 2000 |
| Скорость последовательной записи | 1700 |
| Средняя скорость случайного чтения | 170000 |
| Средняя скорость случайной записи | 240000 |
| Объём | 1 ТБ |
![SSD HP 1.6TB [804631-B21]](/images/virtuemart/product/resized/ssd-hp-16tb-804631-b21_0x200.jpg)
4584.67 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD HP 1.6TB [804631-B21]
Форм-фактор
2.5''
Интерфейс
SATA 3.0
Тип микросхем Flash
NAND MLC
Объём
1.6 ТБ
Характеристики
| Форм-фактор | 2.5'' |
| Интерфейс | SATA 3.0 |
| Тип микросхем Flash | NAND MLC |
| Объём | 1.6 ТБ |
786.25 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Intel 1TB [SSDPEKKW010T8X1962568]
Дата выхода на рынок
2018
Форм-фактор
M.2
Интерфейс
PCI Express 3.1 x4
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Контроллер
Silicon Motion SM2262
Аппаратное шифрование
да
Скорость последовательного чтения
3230
Скорость последовательной записи
1625
Средняя скорость случайного чтения
340000
Средняя скорость случайной записи
275000
Объём
1.024 ТБ
Характеристики
| Дата выхода на рынок | 2018 |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.1 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Silicon Motion SM2262 |
| Аппаратное шифрование | да |
| Скорость последовательного чтения | 3230 |
| Скорость последовательной записи | 1625 |
| Средняя скорость случайного чтения | 340000 |
| Средняя скорость случайной записи | 275000 |
| Объём | 1.024 ТБ |
![SSD Intel D3-S4510 1.92TB [SSDSC2KB019T801]](/images/virtuemart/product/resized/ssd-intel-d3-s4510-192tb-ssdsc2kb019t801_90x90.jpg)
1696.59 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Intel D3-S4510 1.92TB [SSDSC2KB019T801]
Дата выхода на рынок
2018
Форм-фактор
2.5''
Интерфейс
SATA 3.0
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Аппаратное шифрование
да
Скорость последовательного чтения
560
Скорость последовательной записи
510
Средняя скорость случайного чтения
97000
Средняя скорость случайной записи
35500
Толщина
7
Объём
1.92 ТБ
Характеристики
| Дата выхода на рынок | 2018 |
| Форм-фактор | 2.5'' |
| Интерфейс | SATA 3.0 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Аппаратное шифрование | да |
| Скорость последовательного чтения | 560 |
| Скорость последовательной записи | 510 |
| Средняя скорость случайного чтения | 97000 |
| Средняя скорость случайной записи | 35500 |
| Толщина | 7 |
| Объём | 1.92 ТБ |
![SSD Intel D3-S4510 960GB [SSDSC2KB960G801]](/images/virtuemart/product/resized/ssd-intel-d3-s4510-960gb-ssdsc2kb960g801_90x90.jpg)
698.36 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Intel D3-S4510 960GB [SSDSC2KB960G801]
Дата выхода на рынок
2018
Форм-фактор
2.5''
Интерфейс
SATA 3.0
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Аппаратное шифрование
да
Скорость последовательного чтения
560
Скорость последовательной записи
510
Средняя скорость случайного чтения
95000
Средняя скорость случайной записи
36000
Толщина
7
Объём
960 ГБ
Характеристики
| Дата выхода на рынок | 2018 |
| Форм-фактор | 2.5'' |
| Интерфейс | SATA 3.0 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Аппаратное шифрование | да |
| Скорость последовательного чтения | 560 |
| Скорость последовательной записи | 510 |
| Средняя скорость случайного чтения | 95000 |
| Средняя скорость случайной записи | 36000 |
| Толщина | 7 |
| Объём | 960 ГБ |
![SSD Intel D3-S4610 1.92TB [SSDSC2KG019T801]](/images/virtuemart/product/resized/ssd-intel-d3-s4610-192tb-ssdsc2kg019t801_90x90.jpg)
1722.28 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Intel D3-S4610 1.92TB [SSDSC2KG019T801]
Дата выхода на рынок
2018
Форм-фактор
2.5''
Интерфейс
SATA 3.0
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Аппаратное шифрование
да
Скорость последовательного чтения
560
Скорость последовательной записи
510
Средняя скорость случайного чтения
97000
Средняя скорость случайной записи
46500
Толщина
7
Объём
1.92 ТБ
Характеристики
| Дата выхода на рынок | 2018 |
| Форм-фактор | 2.5'' |
| Интерфейс | SATA 3.0 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Аппаратное шифрование | да |
| Скорость последовательного чтения | 560 |
| Скорость последовательной записи | 510 |
| Средняя скорость случайного чтения | 97000 |
| Средняя скорость случайной записи | 46500 |
| Толщина | 7 |
| Объём | 1.92 ТБ |
1177.47 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Intel D3-S4610 960GB [SSDSC2KG960G801]
Дата выхода на рынок
2018
Форм-фактор
2.5''
Интерфейс
SATA 3.0
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Аппаратное шифрование
да
Скорость последовательного чтения
560
Скорость последовательной записи
510
Средняя скорость случайного чтения
96000
Средняя скорость случайной записи
51000
Время наработки на отказ (МТBF)
2000000
Толщина
7
Энергопотребление (чтение/запись)
3
Энергопотребление (ожидание)
1
Объём
960
Характеристики
| Дата выхода на рынок | 2018 |
| Форм-фактор | 2.5'' |
| Интерфейс | SATA 3.0 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Аппаратное шифрование | да |
| Скорость последовательного чтения | 560 |
| Скорость последовательной записи | 510 |
| Средняя скорость случайного чтения | 96000 |
| Средняя скорость случайной записи | 51000 |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2000000 |
| Толщина | 7 |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 3 |
| Энергопотребление (ожидание) | 1 |
| Объём | 960 |
![SSD Intel DC P3700 1.6TB [SSDPEDMD016T401]](/images/virtuemart/product/resized/ssd-intel-dc-p3700-16tb-ssdpedmd016t401_90x90.jpg)
4551.97 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Intel DC P3700 1.6TB [SSDPEDMD016T401]
Форм-фактор
PCI Express
Форм-фактор
плата расширения
Интерфейс
PCI Express 3.0 x4
Тип микросхем Flash
NAND MLC
Тип микросхем Flash
MLC
Скорость последовательного чтения
2 800 МБ/с
Скорость последовательного чтения
2800
Скорость последовательной записи
1 900 МБ/с
Скорость последовательной записи
1900
Средняя скорость случайного чтения
450 000 IOps
Средняя скорость случайного чтения
450000
Средняя скорость случайной записи
150 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
150000
Время наработки на отказ (МТBF)
2 000 000 ч
Время наработки на отказ (МТBF)
2000000
Толщина
19 мм
Толщина
19
Техпроцесс
20 нм
Техпроцесс
20
Энергопотребление (чтение/запись)
22 Вт
Энергопотребление (чтение/запись)
22
Энергопотребление (ожидание)
4 Вт
Энергопотребление (ожидание)
4
Объём
1.6 ТБ
Характеристики
| Форм-фактор | PCI Express |
| Форм-фактор | плата расширения |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем Flash | NAND MLC |
| Тип микросхем Flash | MLC |
| Скорость последовательного чтения | 2 800 МБ/с |
| Скорость последовательного чтения | 2800 |
| Скорость последовательной записи | 1 900 МБ/с |
| Скорость последовательной записи | 1900 |
| Средняя скорость случайного чтения | 450 000 IOps |
| Средняя скорость случайного чтения | 450000 |
| Средняя скорость случайной записи | 150 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 150000 |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2 000 000 ч |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2000000 |
| Толщина | 19 мм |
| Толщина | 19 |
| Техпроцесс | 20 нм |
| Техпроцесс | 20 |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 22 Вт |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 22 |
| Энергопотребление (ожидание) | 4 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 4 |
| Объём | 1.6 ТБ |
![SSD Intel DC P4510 1TB [SSDPE2KX010T801]](/images/virtuemart/product/resized/ssd-intel-dc-p4510-1tb-ssdpe2kx010t801_1_90x90.jpg)
1031.56 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Intel DC P4510 1TB [SSDPE2KX010T801]
Форм-фактор
2.5''
Интерфейс
PCI Express 3.0 x4
Тип микросхем Flash
3D NAND TLC
Аппаратное шифрование
да
Скорость последовательного чтения
2 850 МБ/с
Скорость последовательного чтения
2850
Скорость последовательной записи
1 100 МБ/с
Скорость последовательной записи
1100
Средняя скорость случайного чтения
469 000 IOps
Средняя скорость случайного чтения
469000
Средняя скорость случайной записи
72 000 IOps
Средняя скорость случайной записи
72000
Время наработки на отказ (МТBF)
2 000 000 ч
Время наработки на отказ (МТBF)
2000000
Толщина
15 мм
Энергопотребление (чтение/запись)
12 Вт
Энергопотребление (чтение/запись)
12
Энергопотребление (ожидание)
5 Вт
Энергопотребление (ожидание)
5
Объём
1 ТБ
Характеристики
| Форм-фактор | 2.5'' |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D NAND TLC |
| Аппаратное шифрование | да |
| Скорость последовательного чтения | 2 850 МБ/с |
| Скорость последовательного чтения | 2850 |
| Скорость последовательной записи | 1 100 МБ/с |
| Скорость последовательной записи | 1100 |
| Средняя скорость случайного чтения | 469 000 IOps |
| Средняя скорость случайного чтения | 469000 |
| Средняя скорость случайной записи | 72 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 72000 |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2 000 000 ч |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2000000 |
| Толщина | 15 мм |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 12 Вт |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 12 |
| Энергопотребление (ожидание) | 5 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 5 |
| Объём | 1 ТБ |
![SSD Intel DC P4600 1.6TB [SSDPE2KE016T701]](/images/virtuemart/product/resized/ssd-intel-dc-p4600-16tb-ssdpe2ke016t701_0x200.png)
2367.64 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Intel DC P4600 1.6TB [SSDPE2KE016T701]
Дата выхода на рынок
2017
Форм-фактор
2.5''
Интерфейс
PCI Express 3.1 x4
Тип микросхем Flash
3D NAND TLC
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Аппаратное шифрование
да
Скорость последовательного чтения
3 200 МБ/с
Скорость последовательного чтения
3200
Скорость последовательной записи
1 325 МБ/с
Скорость последовательной записи
1325
Средняя скорость случайного чтения
559 550 IOps
Средняя скорость случайного чтения
559550
Средняя скорость случайной записи
176 500 IOps
Средняя скорость случайной записи
176500
Время наработки на отказ (МТBF)
2 000 000 ч
Время наработки на отказ (МТBF)
2000000
Толщина
15 мм
Толщина
15
Энергопотребление (чтение/запись)
14.2 Вт
Энергопотребление (чтение/запись)
14.2
Энергопотребление (ожидание)
5 Вт
Энергопотребление (ожидание)
5
Объём
1.6 ТБ
Характеристики
| Дата выхода на рынок | 2017 |
| Форм-фактор | 2.5'' |
| Интерфейс | PCI Express 3.1 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D NAND TLC |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Аппаратное шифрование | да |
| Скорость последовательного чтения | 3 200 МБ/с |
| Скорость последовательного чтения | 3200 |
| Скорость последовательной записи | 1 325 МБ/с |
| Скорость последовательной записи | 1325 |
| Средняя скорость случайного чтения | 559 550 IOps |
| Средняя скорость случайного чтения | 559550 |
| Средняя скорость случайной записи | 176 500 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 176500 |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2 000 000 ч |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2000000 |
| Толщина | 15 мм |
| Толщина | 15 |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 14.2 Вт |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 14.2 |
| Энергопотребление (ожидание) | 5 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 5 |
| Объём | 1.6 ТБ |
![SSD Intel DC P4600 2TB [SSDPEDKE020T701]](/images/virtuemart/product/resized/ssd-intel-dc-p4600-2tb-ssdpedke020t701_90x90.jpg)
3688.17 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Intel DC P4600 2TB [SSDPEDKE020T701]
Дата выхода на рынок
2017
Форм-фактор
плата расширения
Интерфейс
PCI Express 3.1 x4
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Аппаратное шифрование
да
Скорость последовательного чтения
3200
Скорость последовательной записи
1575
Средняя скорость случайного чтения
610000
Средняя скорость случайной записи
196650
Время наработки на отказ (МТBF)
2000000
Энергопотребление (чтение/запись)
17
Энергопотребление (ожидание)
5
Объём
2 ТБ
Характеристики
| Дата выхода на рынок | 2017 |
| Форм-фактор | плата расширения |
| Интерфейс | PCI Express 3.1 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Аппаратное шифрование | да |
| Скорость последовательного чтения | 3200 |
| Скорость последовательной записи | 1575 |
| Средняя скорость случайного чтения | 610000 |
| Средняя скорость случайной записи | 196650 |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2000000 |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 17 |
| Энергопотребление (ожидание) | 5 |
| Объём | 2 ТБ |
![SSD Intel DC P4600 3.2TB [SSDPE2KE032T701]](/images/virtuemart/product/resized/ssd-intel-dc-p4600-32tb-ssdpe2ke032t701_1_90x90.jpg)
4816.09 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Intel DC P4600 3.2TB [SSDPE2KE032T701]
Дата выхода на рынок
2017
Форм-фактор
2.5''
Интерфейс
PCI Express 3.1 x4
Тип микросхем Flash
3D TLC NAND
Аппаратное шифрование
да
Скорость последовательного чтения
3270
Скорость последовательной записи
2020
Средняя скорость случайного чтения
695000
Средняя скорость случайной записи
226000
Время наработки на отказ (МТBF)
2000000
Толщина
15
Энергопотребление (чтение/запись)
19.73
Энергопотребление (ожидание)
5
Объём
3.2 ТБ
Характеристики
| Дата выхода на рынок | 2017 |
| Форм-фактор | 2.5'' |
| Интерфейс | PCI Express 3.1 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
| Аппаратное шифрование | да |
| Скорость последовательного чтения | 3270 |
| Скорость последовательной записи | 2020 |
| Средняя скорость случайного чтения | 695000 |
| Средняя скорость случайной записи | 226000 |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2000000 |
| Толщина | 15 |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 19.73 |
| Энергопотребление (ожидание) | 5 |
| Объём | 3.2 ТБ |
![SSD Intel Original PCI-E x4 1TB 660P [SSDPEKNW010T8X1] M.2 2280](/images/virtuemart/product/resized/ssd-intel-original-pci-e-x4-1tb-660p-ssdpeknw010t8x1-m2-2280_90x90.jpg)
431.90 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Intel Original PCI-E x4 1TB 660P [SSDPEKNW010T8X1] M.2 2280
Дата выхода на рынок
2018
Форм-фактор
M.2
Интерфейс
PCI Express 3.0 x4
Тип микросхем Flash
3D QLC NAND
Контроллер
Silicon Motion SM2263
Аппаратное шифрование
да
Скорость последовательного чтения
1800
Скорость последовательной записи
1800
Средняя скорость случайного чтения
150000
Средняя скорость случайной записи
220000
Время наработки на отказ (МТBF)
1600000
Энергопотребление (чтение/запись)
0.1
Энергопотребление (ожидание)
0.04
Объём
1.024 ТБ
Характеристики
| Дата выхода на рынок | 2018 |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D QLC NAND |
| Контроллер | Silicon Motion SM2263 |
| Аппаратное шифрование | да |
| Скорость последовательного чтения | 1800 |
| Скорость последовательной записи | 1800 |
| Средняя скорость случайного чтения | 150000 |
| Средняя скорость случайной записи | 220000 |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1600000 |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 0.1 |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.04 |
| Объём | 1.024 ТБ |
736.40 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Intel Original PCI-E x4 2TB 660P [SSDPEKNW020T8X1] M.2 2280
Дата выхода на рынок
2018
Форм-фактор
M.2
Интерфейс
PCI Express 3.0 x4
Тип микросхем Flash
3D QLC NAND
Контроллер
Silicon Motion SM2263
Аппаратное шифрование
да
Скорость последовательного чтения
1800
Скорость последовательной записи
1800
Средняя скорость случайного чтения
220000
Средняя скорость случайной записи
220000
Время наработки на отказ (МТBF)
1600000
Энергопотребление (чтение/запись)
0.1
Энергопотребление (ожидание)
0.04
Объём
2.048 ТБ
Характеристики
| Дата выхода на рынок | 2018 |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D QLC NAND |
| Контроллер | Silicon Motion SM2263 |
| Аппаратное шифрование | да |
| Скорость последовательного чтения | 1800 |
| Скорость последовательной записи | 1800 |
| Средняя скорость случайного чтения | 220000 |
| Средняя скорость случайной записи | 220000 |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1600000 |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 0.1 |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.04 |
| Объём | 2.048 ТБ |
332.50 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Kingston A400 960GB [SA400S37/960G]
Дата выхода на рынок
2017
Форм-фактор
2.5''
Интерфейс
SATA 3.0
Тип микросхем Flash
TLC
Контроллер
Phison PS3111-S11
Аппаратное шифрование
нет
Скорость последовательного чтения
500
Скорость последовательной записи
450
Толщина
7
Объём
960 ГБ
Характеристики
| Дата выхода на рынок | 2017 |
| Форм-фактор | 2.5'' |
| Интерфейс | SATA 3.0 |
| Тип микросхем Flash | TLC |
| Контроллер | Phison PS3111-S11 |
| Аппаратное шифрование | нет |
| Скорость последовательного чтения | 500 |
| Скорость последовательной записи | 450 |
| Толщина | 7 |
| Объём | 960 ГБ |
400.18 p.
Экономия
В наличии
Характеристики
SSD Patriot Burst 960GB [PBU960GS25SSDR]
Дата выхода на рынок
2018
Форм-фактор
2.5''
Интерфейс
SATA 3.0
Тип микросхем Flash
TLC
Контроллер
Phison S11
Скорость последовательного чтения
560
Скорость последовательной записи
540
Средняя скорость случайного чтения
80000
Средняя скорость случайной записи
60000
Толщина
7
Объём
960 ГБ
Характеристики
| Дата выхода на рынок | 2018 |
| Форм-фактор | 2.5'' |
| Интерфейс | SATA 3.0 |
| Тип микросхем Flash | TLC |
| Контроллер | Phison S11 |
| Скорость последовательного чтения | 560 |
| Скорость последовательной записи | 540 |
| Средняя скорость случайного чтения | 80000 |
| Средняя скорость случайной записи | 60000 |
| Толщина | 7 |
| Объём | 960 ГБ |
![SSD Samsung 1TB [MZ-N6E1T0BW]](/images/virtuemart/product/resized/ssd-samsung-1tb-mz-n6e1t0bw_1_90x90.jpg)
480.92 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Samsung 1TB [MZ-N6E1T0BW]
Форм-фактор
M.2
Интерфейс
SATA 3.0
Аппаратное шифрование
да
Скорость последовательного чтения
550 МБ/с
Скорость последовательного чтения
550
Скорость последовательной записи
520 МБ/с
Скорость последовательной записи
520
Объём
1 ТБ
Характеристики
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | SATA 3.0 |
| Аппаратное шифрование | да |
| Скорость последовательного чтения | 550 МБ/с |
| Скорость последовательного чтения | 550 |
| Скорость последовательной записи | 520 МБ/с |
| Скорость последовательной записи | 520 |
| Объём | 1 ТБ |
560.83 p.
Экономия
В наличии
Характеристики
SSD Samsung 1TB [MZ-V7E1T0BW]
Дата выхода на рынок
2018
Форм-фактор
M.2
Интерфейс
PCI Express 3.0 x4
Тип микросхем Flash
3D MLC NAND
Контроллер
Samsung Phoenix
Аппаратное шифрование
да
Скорость последовательного чтения
3400
Скорость последовательной записи
1500
Средняя скорость случайного чтения
500000
Средняя скорость случайной записи
450000
Время наработки на отказ (МТBF)
1500000
Энергопотребление (чтение/запись)
6
Энергопотребление (ожидание)
0.05
Буфер
1024
Объём
1 ТБ
Характеристики
| Дата выхода на рынок | 2018 |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D MLC NAND |
| Контроллер | Samsung Phoenix |
| Аппаратное шифрование | да |
| Скорость последовательного чтения | 3400 |
| Скорость последовательной записи | 1500 |
| Средняя скорость случайного чтения | 500000 |
| Средняя скорость случайной записи | 450000 |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 6 |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.05 |
| Буфер | 1024 |
| Объём | 1 ТБ |
950.29 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Samsung 1TB [MZ-V7P1T0BW]
Форм-фактор
M.2
Интерфейс
PCI Express 3.0 x4
Тип микросхем Flash
3D MLC NAND
Контроллер
Samsung Phoenix
Аппаратное шифрование
да
Скорость последовательного чтения
3500
Скорость последовательной записи
2700
Средняя скорость случайного чтения
500000
Средняя скорость случайной записи
500000
Время наработки на отказ (МТBF)
1500000
Энергопотребление (чтение/запись)
5.7
Энергопотребление (ожидание)
0.03
Буфер
1024
Объём
1 ТБ
Характеристики
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем Flash | 3D MLC NAND |
| Контроллер | Samsung Phoenix |
| Аппаратное шифрование | да |
| Скорость последовательного чтения | 3500 |
| Скорость последовательной записи | 2700 |
| Средняя скорость случайного чтения | 500000 |
| Средняя скорость случайной записи | 500000 |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 1500000 |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 5.7 |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.03 |
| Буфер | 1024 |
| Объём | 1 ТБ |
1615.31 p.
Экономия
Под заказ
Характеристики
SSD Samsung 2TB [MZ-76P2T0BW]
Дата выхода на рынок
2018
Форм-фактор
2.5''
Интерфейс
SATA 3.0
Тип микросхем Flash
3D MLC NAND
Контроллер
Samsung MJX
Аппаратное шифрование
да
Скорость последовательного чтения
560
Скорость последовательной записи
530
Средняя скорость случайного чтения
100000
Средняя скорость случайной записи
90000
Время наработки на отказ (МТBF)
2000000
Толщина
6.8
Энергопотребление (чтение/запись)
2
Энергопотребление (ожидание)
0.0045
Буфер
2048
Объём
2 ТБ
Характеристики
| Дата выхода на рынок | 2018 |
| Форм-фактор | 2.5'' |
| Интерфейс | SATA 3.0 |
| Тип микросхем Flash | 3D MLC NAND |
| Контроллер | Samsung MJX |
| Аппаратное шифрование | да |
| Скорость последовательного чтения | 560 |
| Скорость последовательной записи | 530 |
| Средняя скорость случайного чтения | 100000 |
| Средняя скорость случайной записи | 90000 |
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2000000 |
| Толщина | 6.8 |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 2 |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.0045 |
| Буфер | 2048 |
| Объём | 2 ТБ |
Показать ещё
Принимая решение купить sdd оптом от дистрибьютора с официально подтвержденным статусом – компании «БВКомпьютерс», частные и корпоративные клиенты ожидают получать оригинальные компьютерные комплектующие по привлекательной стоимости. Сотрудничество с фирмой оправдывает все ожидания – покупателей ждут доступные цены на sdd, помощь в выборе товара на сайте, содействие в организации оперативной доставки и гибкие условия расчетов, предполагающие возможность оплаты безналичными платежами.
SDD оптом в Минске: выбор рациональных покупателей
- форм-фактор накопителя
- тип контроллера
- тип памяти
- заявленный уровень потребления энергии
- прочие технические характеристики
Прежде чем купить ссд от поставщика, посетители сайта проводят анализ доступных в каталоге предложений с целью отыскать оптимальный вариант. Все модели они оценивают по ряду критериев. Среди них:
Внимание к этим деталям – залог того, что заказанные ссд оптом прослужат долго и продемонстрируют отличную функциональность и производительность.